SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
♠ Productbeschrijving
| Productkenmerk | Attribuutwaarde |
| Fabrikant: | Vishay |
| Product categorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montagestijl: | SMD/SMT |
| Pakket/Geval: | SOIC-8 |
| Transistorpolariteit: | P-kanaal |
| Aantal kanalen: | 1 kanaal |
| Vds - doorslagspanning afvoerbron: | 30 V |
| Id - Continue afvoerstroom: | 5.7 EEN |
| Rds aan - Weerstand afvoerbron: | 42 mOhm |
| Vgs - Gate-bronspanning: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - Poortbrondrempelspanning: | 1 V |
| Qg - Poortlading: | 24 nC |
| Minimale bedrijfstemperatuur: | - 55 C |
| Maximale bedrijfstemperatuur: | + 150 C |
| Pd - Vermogensdissipatie: | 2,5 watt |
| Kanaalmodus: | Verbetering |
| Handelsnaam: | GeulFET |
| verpakking: | Haspel |
| verpakking: | Snijband |
| verpakking: | MouseReel |
| Merk: | Vishay halfgeleiders |
| Configuratie: | Enkel |
| Herfst tijd: | 30 ns |
| Voorwaartse transconductantie - Min: | 13 S |
| Product type: | MOSFET |
| Stijgingstijd: | 42 ns |
| Serie: | SI9 |
| Hoeveelheid fabriekspakket: | 2500 |
| Subcategorie: | MOSFET's |
| Transistortype: | 1 P-kanaal |
| Typische uitschakelvertragingstijd: | 30 ns |
| Typische inschakelvertragingstijd: | 14 ns |
| Deel # Aliassen: | SI9435BDY-E3 |
| Gewichtseenheid: | 750mg |
• Halogeenvrij Volgens de definitie IEC 61249-2-21
• TrenchFET® vermogens-MOSFET
• Voldoet aan RoHS-richtlijn 2002/95/EG
