NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Productbeschrijving
| Naam van het product | Waarde van toeschrijving |
| Fabricant: | onssemi |
| Productcategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
| Polariteit van de transistor: | N-kanaal |
| Aantal kanalen: | 2 kanaal |
| Vds - Tensión disruptiva tussen drenaje en fuente: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 295mA |
| Rds On - Resistencia tussen drenaje en fuente: | 1,6 ohm |
| Vgs - Spanning tussen puerta en fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral tussen puerta en fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 900 pct |
| Minimale temperatuur van de trabajo: | - 55 C |
| Maximale temperatuur van de trabajo: | + 150 C |
| Dp - Vermogensdisipación: | 250 mW |
| Modo-kanaal: | Verbetering |
| Empaquetado: | Haspel |
| Empaquetado: | Snijband |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marka: | onssemi |
| Configuratie: | Dubbel |
| Tiempo de caída: | 32 ns |
| hoogte: | 0,9 mm |
| Lengtegraad: | 2 mm |
| Producttip: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 34 ns |
| Serie: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fabric: | 3000 |
| Subcategorie: | MOSFET's |
| Type transistor: | 2 N-kanaal |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 ns |
| Tiempo tip van de demora de encendido: | 22 ns |
| Ancho: | 1,25 mm |
| Peso de la unidad: | 0.000212 ons |
• Lage RDS(aan)
• Lage poortdrempel
• Lage ingangscapaciteit
• ESD-beveiligde poort
• NVJD-voorvoegsel voor auto- en andere toepassingen die unieke locatie- en besturingswijzigingsvereisten vereisen;AEC-Q101 gekwalificeerd en geschikt voor PPAP
• Dit is een Pb-vrij apparaat
•Lage zijbelastingschakelaar
• DC-DC-converters (Buck- en Boost-circuits)
