SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET dubbel P-kanaal 30V AEC-Q101 gekwalificeerd
♠ Productbeschrijving
Productkenmerk | Attribuutwaarde |
Fabrikant: | Vishay |
Product categorie: | MOSFET |
Technologie: | Si |
Montagestijl: | SMD/SMT |
Pakket / Geval: | PowerPAK-SO-8-4 |
Transistorpolariteit: | P-kanaal |
Aantal kanalen: | 2 kanaal |
Vds - doorslagspanning afvoerbron: | 30 V |
Id - Continue afvoerstroom: | 30 A |
Rds aan - Weerstand afvoerbron: | 14 mOhm |
Vgs - Gate-bronspanning: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Poortbrondrempelspanning: | 2,5 V |
Qg - Poortlading: | 50 nC |
Minimale bedrijfstemperatuur: | - 55 C |
Maximale bedrijfstemperatuur: | + 175 C |
Pd - Vermogensdissipatie: | 56 W |
Kanaalmodus: | Verbetering |
Kwalificatie: | AEC-Q101 |
Handelsnaam: | GeulFET |
verpakking: | Haspel |
verpakking: | Snijband |
verpakking: | MouseReel |
Merk: | Vishay halfgeleiders |
Configuratie: | Dubbel |
Herfst tijd: | 28 ns |
Product type: | MOSFET |
Stijgingstijd: | 12 ns |
Serie: | SQ |
Hoeveelheid fabriekspakket: | 3000 |
Subcategorie: | MOSFET's |
Transistortype: | 2 P-kanaal |
Typische uitschakelvertragingstijd: | 39 ns |
Typische inschakelvertragingstijd: | 12 ns |
Deel # Aliassen: | SQJ951EP-T1_BE3 |
Gewichtseenheid: | 0,017870 ons |
• Halogeenvrij Volgens de definitie IEC 61249-2-21
• TrenchFET® vermogens-MOSFET
• AEC-Q101 Gekwalificeerdd
• 100 % Rg- en UIS-getest
• Voldoet aan RoHS-richtlijn 2002/95/EG