NVTFS5116PLTWG MOSFET enkel P-kanaal 60V, 14A, 52mohm
♠ Productbeschrijving
| Productkenmerk | Attribuutwaarde |
| Fabrikant: | onsemi |
| Productcategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montagestijl: | SMD/SMT |
| Pakket / Koffer: | WDFN-8 |
| Transistorpolariteit: | P-kanaal |
| Aantal kanalen: | 1 kanaal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Continue afvoerstroom: | 14 A |
| Rds aan - Afvoer-bronweerstand: | 52 mOhm |
| Vgs - Gate-Source spanning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source drempelspanning: | 3V |
| Qg - Poortlading: | 25 nC |
| Minimale bedrijfstemperatuur: | - 55 graden Celsius |
| Maximale bedrijfstemperatuur: | + 175 graden Celsius |
| Pd - Vermogensverlies: | 21 W |
| Kanaalmodus: | Verbetering |
| Kwalificatie: | AEC-Q101 |
| Verpakking: | Haspel |
| Verpakking: | Knip tape |
| Verpakking: | MuisReel |
| Merk: | onsemi |
| Configuratie: | Enkel |
| Voorwaartse transconductantie - Min: | 11 S |
| Producttype: | MOSFET |
| Serie: | NVTFS5116PL |
| Fabriekspakket Hoeveelheid: | 5000 |
| Subcategorie: | MOSFET's |
| Transistortype: | 1 P-kanaal |
| Eenheidsgewicht: | 0,001043 oz |
• Kleine voetafdruk (3,3 x 3,3 mm) voor compact ontwerp
• Lage RDS(aan) om geleidingsverliezen te minimaliseren
• Lage capaciteit om driververliezen te minimaliseren
• NVTFS5116PLWF − Bevochtigbaar flankenproduct
• AEC-Q101 gekwalificeerd en PPAP-geschikt
• Deze apparaten zijn Pb−vrij en voldoen aan de RoHS-richtlijn
