NVH820S75L4SPB IGBT-modules 750V, 820A SSD
♠ Productbeschrijving
| Productkenmerk | Attribuutwaarde |
| Fabrikant: | onssemi |
| Product categorie: | IGBT-modules |
| Product: | IGBT-siliciummodules |
| Configuratie: | 6-pack |
| Collector-emitterspanning VCEO Max: | 750 V |
| Collector-emitter verzadigingsspanning: | 1,3 V |
| Continue collectorstroom bij 25 C: | 600 A |
| Gate-Emitter Lekstroom: | 500 uA |
| Pd - Vermogensdissipatie: | 1000 watt |
| Pakket / Geval: | 183AB |
| Minimale bedrijfstemperatuur: | - 40 C |
| Maximale bedrijfstemperatuur: | + 175 C |
| verpakking: | Dienblad |
| Merk: | onssemi |
| Maximale poortemitterspanning: | 20 V |
| Montagestijl: | SMD/SMT |
| Product type: | IGBT-modules |
| Hoeveelheid fabriekspakket: | 4 |
| Subcategorie: | IGBT's |
| Technologie: | Si |
| Handelsnaam: | VE-Trac |
| Gewichtseenheid: | 2.843 pond |
♠ Automotive 750 V, 820 A Enkelzijdige directe koeling 6-pack voedingsmodule VE-Trac Directe module NVH820S75L4SPB
De NVH820S75L4SPB is een voedingsmodule uit de VE−Trac Direct-familie van sterk geïntegreerde voedingsmodules met industriestandaard voetafdrukken voor hybride (HEV) en elektrische voertuigen (EV) tractie-invertertoepassingen.
De module integreert zes Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa IGBT's in een 6-pack configuratie, die uitblinkt in het leveren van hoge stroomdichtheid, terwijl het robuuste kortsluitbeveiliging en verhoogde blokkeerspanning biedt.Bovendien vertonen FS4 750 V Narrow Mesa IGBT's lage vermogensverliezen tijdens lichtere belastingen, wat helpt om de algehele systeemefficiëntie in automobieltoepassingen te verbeteren.
Voor montagegemak en betrouwbaarheid is een nieuwe generatie perspassingspennen geïntegreerd in de signaalklemmen van de vermogensmodule.Bovendien heeft de voedingsmodule een geoptimaliseerd pin-fin koellichaam in de basisplaat.
• Directe koeling met geïntegreerde pin-fin heatsink
• Ultralage zwerfinductantie
• Tvjmax = 175°C continu bedrijf
• Lage VCESAT en schakelverliezen
• Automotive FS4 750 V Smalle Mesa IGBT
• Fast Recovery Diode Chip-technologieën
• 4,2 kV geïsoleerd DBC-substraat
• Eenvoudig te integreren 6-pack topologie
• Dit apparaat is loodvrij en voldoet aan RoHS
• Hybride en elektrische voertuigtractie-omvormer
• Krachtige omvormers
