MBT3904DW1T1G bipolaire transistors – BJT 200mA 60V dubbele NPN
♠ Productbeschrijving
| Productkenmerk | Attribuutwaarde |
| Fabrikant: | onssemi |
| Product categorie: | Bipolaire transistors - BJT |
| RoHS: | Details |
| Montagestijl: | SMD/SMT |
| Pakket / Geval: | SC-70-6 |
| Transistorpolariteit: | NPN |
| Configuratie: | Dubbel |
| Collector-emitterspanning VCEO Max: | 40 V |
| Collector-basisspanning VCBO: | 60 V |
| Emitter-basisspanning VEBO: | 6 V |
| Collector-emitter verzadigingsspanning: | 300 mV |
| Maximale DC-collectorstroom: | 200mA |
| Pd - Vermogensdissipatie: | 150 mW |
| Versterk bandbreedteproduct fT: | 300 MHz |
| Minimale bedrijfstemperatuur: | - 55 C |
| Maximale bedrijfstemperatuur: | + 150 C |
| Serie: | MBT3904DW1 |
| verpakking: | Haspel |
| verpakking: | Snijband |
| verpakking: | MouseReel |
| Merk: | onssemi |
| Continue collectorstroom: | - 2 A |
| DC Collector/Basisversterking hfe Min: | 40 |
| Hoogte: | 0,9 mm |
| Lengte: | 2 mm |
| Product type: | BJT's - Bipolaire transistors |
| Hoeveelheid fabriekspakket: | 3000 |
| Subcategorie: | Transistoren |
| Technologie: | Si |
| Breedte: | 1,25 mm |
| Deel # Aliassen: | MBT3904DW1T3G |
| Gewichtseenheid: | 0.000988 ons |
• hFE, 100−300 • Lage VCE(sat), ≤ 0,4 V
• Vereenvoudigt circuitontwerp
• Vermindert bordruimte
• Vermindert het aantal componenten
• Verkrijgbaar in 8 mm, 7-inch/3.000 eenheden tape en haspel
• S- en NSV-voorvoegsel voor automobiel- en andere toepassingen die unieke locatie- en besturingswijzigingsvereisten vereisen;AEC-Q101 gekwalificeerd en geschikt voor PPAP
• Deze apparaten zijn Pb−vrij, halogeenvrij/BFR-vrij en voldoen aan RoHS
