IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Productbeschrijving
| Productkenmerk | Attribuutwaarde |
| Fabrikant: | Infineon |
| Productcategorie: | MOSFET |
| RoHS-richtlijn: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montagestijl: | SMD/SMT |
| Verpakking/doos: | TO-252-3 |
| Transistorpolariteit: | N-Kanaal |
| Aantal kanalen: | 1 kanaal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Id - Continue afvoerstroom: | 50 A |
| Rds aan - Afvoer-bronweerstand: | 9,3 mOhm |
| Vgs - Gate-Source spanning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source drempelspanning: | 3V |
| Qg - Poortlading: | 18,2 nC |
| Minimale bedrijfstemperatuur: | - 55 graden Celsius |
| Maximale bedrijfstemperatuur: | + 175 graden Celsius |
| Pd - Vermogensverlies: | 41 W |
| Kanaalmodus: | Verbetering |
| Kwalificatie: | AEC-Q101 |
| Handelsnaam: | OptiMOS |
| Verpakking: | Haspel |
| Verpakking: | Knip tape |
| Merk: | Infineon Technologies |
| Configuratie: | Enkel |
| Herfsttijd: | 5 ns |
| Hoogte: | 2,3 mm |
| Lengte: | 6,5 mm |
| Producttype: | MOSFET |
| Stijgingstijd: | 7 ns |
| Serie: | OptiMOS-T2 |
| Fabriekspakket Hoeveelheid: | 2500 |
| Subcategorie: | MOSFET's |
| Transistortype: | 1 N-kanaal |
| Typische uitschakelvertraging: | 4 ns |
| Typische inschakelvertraging: | 5 ns |
| Breedte: | 6,22 mm |
| Onderdeel # Aliassen: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| Eenheidsgewicht: | 330 mg |
• N-kanaal – Verbeteringsmodus
• AEC-gekwalificeerd
• MSL1 tot 260°C piekreflow
• Bedrijfstemperatuur 175°C
• Groen product (RoHS-conform)
• 100% lawinegetest
